探傷過程中存在的典型問題

不同探頭同一試塊的測量結(jié)果　　

反射體深度	1#探頭	2#探頭
	橫波折射角	聲程	橫波折射角	聲程
mm	( )	mm	( )	mm
20	21.7	21.7	32.8	24.3
40	24.4	45.0	32.5	49.8
60	25.8	70	30.9	75.6
80	28.9	101.8	29.1	102.0

注:1.晶片尺寸13&acute;13 2.晶片尺寸10&acute;20.　　試驗中發(fā)現(xiàn):同一探頭(入射角不變)在不同深度反射體上測得的橫波折射角不同,進一步試驗還發(fā)現(xiàn),折射角的變化趨勢與晶片的結(jié)構(gòu)尺寸有關(guān),對不同結(jié)構(gòu)尺寸的晶片,折射角的變化趨勢不同,甚至完全相反,而對同一　　晶片,改變探頭縱波入射角,其折射角變化趨勢基本不變,上表是兩個晶片尺寸不同的探頭在同一試塊上測量的結(jié)果.　　1#探頭聲束中心軌跡 2#探頭聲束中心軌跡　　1.縱波與橫波探頭概念不清.　　**臨界角:由折射定律SinaL/CL1=SinbL/CL2,當CL2>CL1時,bL>aL,隨著aL增加,bL也增加,當aL增加到一定程度時,bL=90,這時所對應的縱波入射角稱為**臨界角aI,　　aI=SinCL1/CL2=Sin2730/5900=27.6,當aL<aI時,**介質(zhì)中既有折射縱波L&cent;&cent;又有折射橫波S&cent;&cent;.　　**臨界角:由折射定律SinaL/CL1=SinbS/CS2, 當Cs2>CL1時,bS>aL,隨著aL增加,bS也增加,當aL增加一定程度時,bS=90,這時所對應的縱波入射角稱為**臨界角aⅡ.aⅡ=SinCL1/CS2=Sin2730/3240=57.7.當aL=aI--aⅡ時,**介質(zhì)中只有折射橫波S,沒有折射縱波L,常用橫波探頭的制作原理。　　利用折射定律判斷1#探頭是否為橫波探頭。　　A. 存橫波探傷的條件:Sin27.6/2730=Sinb/3240,　　Sinb=Sin27.6&acute;3240/2730=0.55,b=33.36,K=0.66。　　B.折射角為21.7時：　　Sina/2730=Sin21.7/3240,Sina=Sin21.7&acute;2730/3240,a=18.15,　　小于**臨界角27.6。　　折射角為28.9時：　　Sina/2730=Sin28.9/3240,Sina= Sin28.9&acute;2730/3240,a=24,也小于**臨界角27.6。　　C.如何解釋1#探頭隨反射體深度增加,折射角逐漸增大的現(xiàn)象,由A、B　　可知,1#探頭實際為縱波斜探頭,同樣存在上半擴散角與下半擴散角,而且上半擴散角大于下半擴散角。（講義附件9題答案）。　　縱波入射角aL由0逐漸向**臨界角aI(27.6)增加時,**介質(zhì)中的縱波能量逐漸減弱,橫波能量逐漸增強,在聲束的一定范圍內(nèi),q下區(qū)域內(nèi)的縱波能量大于q上區(qū)域內(nèi)的縱波能量,探測不同深度的孔,實際上是由q下區(qū)域內(nèi)的縱波分量獲得反射回波**點。　　由超聲場橫截面聲壓分布情況來看,A點聲壓在下半擴散角之內(nèi),B點聲壓在上半擴散角之內(nèi),且A點聲壓高于B點聲壓。再以近場長度N的概念來分析,2.5P 13&acute;13 K1探頭N=36.5mm,由此可知反射體深度20mm時,聲程約21.7mm,b=21.7時N=40.07mm為近場探傷。　　在近場內(nèi)隨著反射體深度增加聲程增大,A點與B點的能量逐漸向C點增加,折射角度小的探頭角度逐漸增大,折射角度大的探頭角度逐漸減少。　　2.盲目追求短前沿:　　以2.5P 13&acute;13 K2探頭為例,b=15mm與b=11mm,斜楔為有機玻璃材料;　　(1).檢測20mm厚,X口對接焊縫,缺陷為焊縫層間未焊透.　　(2).信噪比的關(guān)系:有用波與雜波幅度之比必須大于18dB.　　(3).為什么一次標記點與二次標記點之間有固定波？　　由54頁表可知：COSb/COSa=0.68，K2探頭b=63.44°，　　COS63.44°=0.447，COSa=0.447/0.68=0.66，　　COSa=6.5/LX，前沿LX=6.5/0.66=9.85mm。（講義附件6題答案）。　　3.如何正確選擇雙晶直探頭:　　(1).構(gòu)造、聲場形狀、菱形區(qū)的選擇;　　(2).用途:為避開近場區(qū),主要檢測薄板工件中面積形缺陷.　　(3).發(fā)射晶片聯(lián)接儀器R口,接收晶片聯(lián)接T口(匹配線圈的作用).　　4.探頭應用舉例: